Різак В.М. – керівник проєкту
Різак В.М. має досвід дослідження та управління науковими проєктами по впливу опромінювання на фоточутливі матеріали для оптичного запису інформації та розробці функціональних матеріалів на основі фотоіндукованих процесів. Керування українськими проектами та міжнародними проєктами (H2020, НАТО, TACIS, білатеральними проєктами і т.д.) дало можливість сформувати, згуртувати та зосередити науковий колектив на дослідженні нових ефектів взаємодії аморфних напівпровідникових матеріалів із зовнішнім опромінюванням. У рамках проєкту виконує такі завдання: розробляє стратегії проведення наукових досліджень відповідно до затвердженої програми та встановлених термінів; аналізує загальні ресурси та етапи виконання проекту; визначає ресурси, які необхідно залучити для виконання проєктних робіт, оцінює вартість цих ресурсів; формує творчий колектив виконавців науково-доcлідної роботи, готує штатний розпис, а у разі необхідності обґрунтовуватиме кадрові зміни виконавців; планує перелік та обсяги робіт окремих виконавців; готує документацію для тендерних процедур на закупівлю матеріалів; бере безпосередню участь у визначенні методів досліджень та проведенні експериментальних вимірювань, а також у виконанні теоретичних досліджень, розрахунків, математичного моделювання та патентних досліджень.
Під час реалізації проекту виконує такі задачі: дослідження динаміки електронно-індукованих процесів в аморфних плівках AsxSe100-x; аналіз фізичних процесів в аморфних напівпровідникових плівках, що взаємодіють із електронним пучком; дослідження впливу заміщень As↔Ge та Se↔S на процеси електронно-індукованого структурування поверхні в аморфних напівпровідникових плівках Ge(As)xS(Se)100-x; реалізація електронно- індукованого наноструктурування поверхні аморфних напівпровідникових плівок у околі точки електрогідродинамічної нестійкості; дослідження можливих прикладних аспектів електронно-індукованих процесів структурування поверхні аморфних напівпровідникових плівок під дією електронного пучка.
Під час виконання проєкту виконує такі завдання: вивчення лазерно-індукованих процесів структурування поверхні аморфних тонких плівок Ge(As)xS(Se)100-x та розробка моделі їх взаємодії з лазерним променем при масопереносі та формуванні періодичного рельєфу поверхні, дослідження структурування поверхні плівок Ge(As)xS(Se)100-x під впливом лазерного променя та вплив температури на лазерно-індукований масоперенос у плівках Ge(As)xS(Se)100-x і процес формування решіток поверхневого рельєфу. Аналіз розподілу потенціалу лазерно-індукованої наноструктурованої поверхні плівок Ge(As)xS(Se)100-x та розробка моделі взаємодії плівок Ge(As)xS(Se)100-x з лазерним променем у процесі масопереносу та формування граток поверхневого рельєфу.
У рамках проєкту вивчатиме лазерно- та електронно-індуковані явища й ефекти наноструктурування поверхні в аморфних напівпровідникових плівках на мікро- і нанорівні з допомогою передових методів скануючої зондової мікроскопії. Зокрема, будуть реалізовані дослідження поверхневих наноструктур у плівках Ge(As)xSe(S)100-x, індукованих лазерним променем; дослідження розподілу поверхневого потенціалу у лазерно-індукованих наноструктурах у плівках AsxSe100-x АСМ-скануванням у режимі Кельвін-зондової силової мікроскопії; братиме участь в аналізі концентраційних залежностей параметрів поверхневого рельєфу, наномеханічному картуванню модифікованої лазерним променем наноструктурованої поверхні та виготовленню плазмонно-активних наноструктур і розробкою способу їх застосування для маніпуляції процесами поверхневого наноструктурування в аморфних напівпровідникових плівках Ge(As)xSe(S)100-x через локалізовані гарячі точки електромагнітного поля; вивчатиме електричні властивості аморфних плівок Ge(As)xSe(S)100-x методами скануючої зондової мікроскопії та розроблятиме моделі лазерно-індукованого масопереносу.
Під час виконання проєкту реалізує такі завдання: дослідження впливу різних густин потужності лазера на процеси 
формування кристалітів у плівках різної товщини та складу; аналіз впливу опромінення електронним пучком різної потужності на процеси формування кристалітів у плівках різної товщини та складу; вивчення впливу температури на процеси формування кристалітів при опроміненні лазером високої густини потужності та електронним пучком, зміни у раман-спектрах; спектроеліпсометричні вимірювання показника заломлення плівок до опромінення лазерними та електронними пучками і після формування поверхневого рельєфу.
У рамках проєкту здійснює моделювання структури і ряду енергетичних параметрів плівок методами молекулярної динаміки. Під час реалізації проекту будуть виконані такі роботи: побудова моделей тонких плівок систем Ge–Se, Ge–S, As–Se, As–S та розрахунок їх структурних параметрів; оптимізація геометрії досліджуваних плівок; розрахунок енергетичних, оптичних та механічних параметрів; моделювання впливу електричного поля на структурні та енергетичні параметри; моделювання процесів наноструктурування під впливом поля та температури; моделювання впливу наноструктур на оптичні параметри.
Виконує наступні завдання: дослідження структури та однорідності плівок систем Ge-Se, Ge-S, As-Se, As-S до та після опромінення з використанням раманівської та ІЧ-спектрометрії; дослідження оптичних властивостей немодифікованих та модифікованих плівок систем Ge-Se, Ge-S, As-Se, As-S з використанням оптичних методів, заснованих на пропусканні та поглинанні світла; еліпсометричні дослідження немодифікованих та модифікованих плівок систем Ge-Se, Ge-S, As-Se, As-S з використанням методу спектральної еліпсометрії; встановлення закономірностей зміни оптичних параметрів досліджуваних плівок систем Ge-Se, Ge-S, As-Se, As-S залежно від складу та дози лазерного та електронного опромінення.
Під час реалізації проєкту виконує такі завдання: виготовлення тонких плівок Ge(As)xS(Se)100-x; дослідження основних параметрів плівок Ge(As)xS(Se)100-x; оптимізація технологічного процесу виготовлення плівок шляхом контролю температури комірок Кнудсена та швидкостей випаровування плівкоутворюючих матеріалів; дослідження мікротвердості плівок на сапфірових та кварцових оптичних дисках методом Віккерса та адгезійної стійкості; аналіз структури плівок Ge(As)xS(Se)100-x; рентгеноструктурний аналіз отриманих плівок на однорідність та наявність мікрокристалів у структурі, підтвердження аморфного стану плівок.
Під час виконання проєкту виконує такі завдання: синтезує об’ємні скла систем Ge – S (Se) і As – S (Se); досліджує їх термодинамічні властивості; аналізує аморфну структуру та ізотропію скла Ge(As)xS(Se)100-x; досліджує хімічну та термічну стабільність скла Ge(As)xS(Se)100-x та їх деградацію при високих температурах.
Робота з реалізації проєкту пов’язана з пошуком та підбором літератури, підготовкою зразків, експериментальною роботою, аналізом та поданням результатів досліджень. Зокрема, аналіз літератури по положенню краю власного поглинання в аморфних напівпровідникових плівках плівкових систем Ge(As)-Se(S), підготовка зразків на досліджень; оцінка якості поверхні та вимірювання товщини виготовлених плівок інтерференційним методом; експериментальні роботи по вимірюванню мікротвердості плівок Ge(As)xSe(S)100-x; вимірювання електропровідності плівок на постійному струмі чотиризондовим методом Ван-дер-Пау; аналіз та представлення результатів досліджень; обробка АСМ-сканів поверхні плівок з лазерно-індукованим та електронно-індукованим рельєфом поверхні; побудова 3-D зображень наноструктурованої поверхні плівок Ge(As)xSe(S)100-x за допомогою програми NanoScope Analysis, перерізів рельєфних поверхонь і побудова графіків їх профілів у програмі Origin Pro.
Під час реалізації проекту розроблятиме стратегічно сплановані дії та заходи для створення позитивного іміджу команди, а також установлення та підтримування добрих стосунків та взаєморозуміння з представниками потенційних зарубіжних донорських структур. Пошук донорських організацій в США та ЄС, що фінансують дослідження наноструктурування халькогенідних матеріалів; налагодження контактів з керівниками науково-дослідницької діяльності донорських організацій для подання заявок на продовження наших досліджень.